ポリッシュド・ウエーハ
(Polished Wafer)
単結晶シリコンインゴットを、薄くスライスし、片面又は両面を鏡面研磨した平坦度、清浄度に優れたウエーハです。
COP Free Wafer
ゲート酸化膜の耐圧劣化や接合リーク電流を増大させる酸素析出物や空孔の集合体であるボイド欠陥（COP）を結晶育成のコントロールにより取り除いた先端デバイスに対応するウエーハです。
アニールド・ウエーハ
(Annealed Wafer)
Polished-Waferを高温熱処理することで、デバイス形成層の結晶完全性を高めつつ、ゲッタリング能力を合わせもつ先端デバイスに対応するウエーハです。
エピタキシャル・ウエーハ
(Epitaxial Wafer)
Polished-Waferの表面にシリコン単結晶を気相成長させることで、ディスクリートやMOS-ICの基盤として優れた品質を有したウエーハです。
取り扱い製品一覧
| カテゴリー | Polished - Wafer | COP Free Wafer | Annealed - Wafer | Epitaxial - Wafer |
|---|---|---|---|---|
| 300mm (12inch) | ● | ● | ▲（開発中） | ● |
| 200mm (8inch) | ● | ● | ● | ● |
| 150mm (6inch) | ● | |||
| 125mm (5inch) | ● | |||
| 100mm (4inch) | ● | |||
| 結晶⾯⽅位 | ＜100＞＜111＞ | |||
| 伝導度調整 添加元素物 |
B (ホウ素）、 P（リン）、 As（砒素）、 R-Phos（赤燐） |
B (ホウ素）、 P（リン） |
B (ホウ素）、 P（リン） |
B (ホウ素）、 P（リン） |
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