結晶育成プロセス
CZ法では、結晶引上装置内に黒鉛ルツボ、高純度の石英ルツボ、多結晶シリコンをセットし、1420度以上で加熱溶融し、種結晶棒を付け、回転させて引き上げることで単結晶を育成します。
加工プロセス
単結晶インゴットを厳格な品質管理のもと、顧客ご要求に応じたスライス、面取り、ラッピング、エッチング、ミラー加工を行います。
スライス (Slicing)
要求される抵抗率に応じて、内周刃切断機もしくはワイヤーソーで厚さ1mm程度に切断し、ウエーハ形状にします。
面取り (Beveling)
砥石にてウエーハ外周を製品直径に研削し、端面を円弧状に修正することで、機械的強度を改善します。
ラッピング (Lapping)
ウエーハをセットしたキャリアが回転し、ウエーハ両面を平行になるように砥粒で粗研磨します。
エッチング (Etching)
前工程でウエーハ表面についた機械加工によるダメージを除去する為に化学的なエッチングを行います。
ミラー加工 (Mirror Polishing)
ウエーハを接着したプレートを研磨布を貼ってある回転する定盤にセットし、研磨液を供給しながら、ケミカルメカニカル研磨により高い平坦度ウエーハを実現します。
洗浄 (Cleaning)
化学薬品と超純水を使って超微細なパーティクル、微量の有機汚染や金属汚染などあらゆる汚染を除去します
特殊加工プロセス
顧客ご要望に応じて、ポリッシュド・ウエーハを更に特殊加工したエピタキシャル・ウエーハとアニールウエーハを製造します。
最終検査
環境管理されたクリーンルーム内にて、熟練した検査員、管理徹底された測定装置により、CCMCウエーハを保証致します。
最終検査
(Final Inspection)
熟練検査員によるウエーハ表面の目視検査並びに装置による微小欠陥個数等の検査を行います。
包装
(Packaging)
ウエーハは、環境管理されたクリーンルームにて、適切な清浄を実施した出荷用ケースに納め、湿気などを通さない特殊な袋に封入されます。
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